Importante scoperta sul processo di iniezione di carica ultraveloce nei semiconduttori
La ricerca, frutto della collaborazione tra Dipartimento di Fisica del Politecnico di Milano, Cnr e Università degli studi di Salerno, marca un nuovo risultato verso la realizzazione di interruttori elettro-ottici ultraveloci tali da aumentare la velocità limite con cui si processano i dati e si codifica l’informazione. Lo studio è pubblicato su Nature Photonics.
Uno studio pubblicato sulla prestigiosa rivista Nature Photonics dimostra la possibilità di controllare le proprietà della luce per ottimizzare l’iniezione di carica di un materiale semiconduttore riducendo contemporaneamente la quantità di energia immessa, un risultato fondamentale per lo sviluppo futuro di dispositivi opto-elettronici.
È questa l’importante scoperta di un gruppo di ricercatori del Dipartimento di Fisica del Politecnico di Milano, in collaborazione con tre Istituti di ricerca del Consiglio nazionale delle ricerche - Istituto di fotonica e nanotecnologie (Cnr-Ifn), Istituto per la microelettronica e microsistemi (Cnr-Imm) e Istituto nanoscienze (Cnr-Nano) insieme a un gruppo di ricerca dell’Università degli Studi di Salerno.
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